光致发光光谱相关论文
ZnO是第三代半导体的代表之一，可作为紫外光致发光与多共振模式激光的载体，尤其以光学气化过饱和析出法（OVSP）制备的ZnO微米晶近年来在......
氧化钇稳定氧化锆（简称YSZ）因其具有高熔点、高折射率和低光学损耗等特点,被认为是理想的基质晶体。基于稀土元素具有独特的能级结构......
以二维硫族化合物为代表的二维材料具备充当未来半导体材料的潜力。从开始的输运性质,用于电子器件、自旋电子器件和电极材料,到后......
Ⅲ-Ⅴ族氮相关化合物多元材料体系,如氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）和氮化铝（AlN）以及与其相关的三元和四元合金化合物（InGaN、InAlN、GaNAs、......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在......
利用Suzuki偶联反应合成了一种新型聚芴类导电聚合物发光材料:聚9,9-二十二烷基-芴-并-3,3′-二对偏二氰乙烯基苯基-2,7-联噻吩(PF......
弱磁探测在材料科学、基础物理和磁强计等众多领域都具有重要的研究意义。由于金刚石氮空位(NV)色心的弱磁探测兼具高灵敏度与高空......
利用空穴型聚合物材料ＲＯＰＰＶ－１２［聚（十二烷氧基－对苯乙炔）］与电子型有机小分子材料Ａｌｑ３（八羟基喹啉铝）配合制备了有机薄膜异质结发光二极管。发现该异质......
基于渐逝波光场对微纳粒子具有光吸附力的效应,提出了利用熔融拉锥光纤吸附沉积半导体量子点的实验研究。以波长为980 nm的激光作......
近年来,墨西哥蓝珀备受欢迎,在市场上占有量越来越大.红蓝料琥珀作为蓝珀的品种之一,因其表层通常具有一层褐红色的氧化皮层,内层......
尖晶石型立方相氮氧化铝（γ-AlON）透明陶瓷光学性能优异,具有光学各向同性、透光波长范围宽等特点,因其晶体结构中存在的大量缺陷,亦......
随着全球经济和科技的飞速发展,更多的设备向小型化和集成化转变,促进了纳米结构和纳米材料的发展。相比于传统的块体材料,低维纳......
近年来,国内CVD合成钻石迅速发展,生产技术水平日新月异。对宁波晶钻公司2017年生产的一批CVD合成钻石进行全面测试,并与市面上最......
在Zn(NO3)2和Co(NO3)2溶液中,以柠檬酸作为络合剂,采用阴极恒电位沉积法直接在ITO衬底上制备出纯ZnO和Co掺杂ZnO(ZnO∶Co)纳米棒阵......
采用Suzuki缩合聚合方法,将4,6-苯并噻二唑单元引入到聚合物中,合成了4,6-苯并噻二唑-咔唑共聚物P1,研究了其光学性质和电化学性质......
制备了以苯乙烯基三苯胺衍生物（简称ＳＡ）为空穴传输层Ａｌｑ３为发光层的双层有机薄膜电致发光器件。还把不同厚度的口恶二唑衍生物（ＰＢＤ）加在ＳＡ和Ａｌｑ３之间制......
利用电子束蒸发和自动晶控技术制备了氧化铪薄膜,并对薄膜进行了退火处理。通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍......
紫外探测器、传感器、短波长发光和激光二极管等光电子器件,在光通讯、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景。而ZnO等宽禁带半导......
有机薄膜电致发光作为一个新兴的研究领域不断吸引着越来越多的人们,目前已成为平板显示领域的一个研究热点。信息技术的飞速发展,......
本文采用非离子表面活性剂对纳米Ti02进行表面改性,研究发现,采用HLB值小于10的表面活性剂改性后的纳米Ti02在有机浆料体系分散性......
光电子材料作为光电子学科和产业的基础和先导，一直以来是科研关注的一个重点。半导体光电子材料作为早期就投入研究的主体材料，在信......
ZnO 是一种宽带隙半导体（3.37 eV），激子束缚能高达60 meV，这使得 ZnO具有高效的，源于激子的紫外发射，并使得ZnO在短波长激光二极管、紫外......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3．37eV)II-VI族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，可以在室温下实现紫外光的受激发射......
ZnO是一种具有压电和光电特性的六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,保证......
半导体低维结构(如量子阱、超晶格、量子线和量子点等)的物性研究、样品生长及器件制作，已成为当前凝聚态物理研究的前沿热门课题之......
单层WS_2具有超薄的厚度、高载流子迁移率、低电阻率、高开关比等优点,在光电子器件和谷极化器件等方面具有重要的应用价值。大面......
设计了一种双粒度CdSe/ZnS掺杂量子点薄膜的反射式荧光温度传感器。以发射波长分别为540nm和610nm的CdSe/ZnS掺杂量子点薄膜作为核......
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完......
用热蒸发法制备了SnO2纳米结构,并用光致发光方法研究了其光谱特性.发现有催化剂条件下制备的SnO2纳米带的发光主峰为3·68eV,正对......
本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱.认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的.由光谱拟合获得......
测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe/ZnS量子点在室温到近溶液沸点温度间的吸收与光致发光光谱,比较了两种不同的CdSe/ZnS......
采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO针状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光......
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,U......
采用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)手段对微乳液法合成的Zn0.9Co0.1O纳米棒进行了表征.通过室温下的共振拉曼光谱和光致发......
通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅 ,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱 (PL谱 )进行系统的分析 .结果表明 ,随着阳......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在......
利用多孔铝非常高的孔隙率,将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到多孔铝Alq3镶嵌膜.研究了镶嵌膜的荧光光谱,并与Alq3在溶液状......
为快速鉴定高温高压(HPHT)合成钻石,前人已开展了系统的发光特征和谱学特征研究,但对比性分析较少,且对电学性质和磁学性质关注不......
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DW......
利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分......
利用射频磁控溅射方法制备了Eu掺杂的AlN薄膜样品。光致发光光谱测试表明，通过控制实验奈件，样品在室温下可以发出不同颜色的光：在613......
利用射频磁控反应溅射方法，以A1—Tm舍金为靶材，Si（100）为衬底，制备了铕（Tm）掺杂的氮化铝（AlN）薄膜．利用X-射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）研......
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并......
采用气体反应电子束蒸发法，氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌（ZnO）薄膜。AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂......
